IRLS4030TRLPBF Datenblatt
Technische Daten für IRLS4030TRLPBF
Artikelnummer :
IRLS4030TRLPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
11360pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
370W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-IRLS4030TRLPBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
263046 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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