IS42S16800E-6BL-TR Datenblatt
Technische Daten für IS42S16800E-6BL-TR
Artikelnummer :
IS42S16800E-6BL-TR
Hersteller :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung :
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM
Speichergröße :
128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz :
166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
5.4ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur :
0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
54-TFBGA
Supplier Device Package :
54-TFBGA (8x8)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
65466 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat IS42S16800E-6BL-TR auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für IS42S16800E-6BL-TR. Unsere E-Mail: [email protected]
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