IS43DR16160A-3DBLI-TR Datenblatt
Technische Daten für IS43DR16160A-3DBLI-TR
Artikelnummer :
IS43DR16160A-3DBLI-TR
Hersteller :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung :
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - DDR2
Speichergröße :
256Mb (16M x 16)
Taktfrequenz :
333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
15ns
Zugriffszeit :
450ps
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
84-TFBGA
Supplier Device Package :
84-TWBGA (8x12.5)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
81720 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat IS43DR16160A-3DBLI-TR auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für IS43DR16160A-3DBLI-TR. Unsere E-Mail: [email protected]
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