IS43LR32160B-6BLI-TR Datenblatt
Technische Daten für IS43LR32160B-6BLI-TR
Artikelnummer :
IS43LR32160B-6BLI-TR
Hersteller :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung :
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße :
512Mb (16M x 32)
Taktfrequenz :
166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
12ns
Zugriffszeit :
5.5ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
90-TFBGA
Supplier Device Package :
90-TFBGA (8x13)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
86072 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat IS43LR32160B-6BLI-TR auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für IS43LR32160B-6BLI-TR. Unsere E-Mail: [email protected]
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