IXFH14N80P Datenblatt
Technische Daten für IXFH14N80P
Artikelnummer :
IXFH14N80P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
Serie :
HiPerFET™, PolarHT™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
720 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
61nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
400W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247AD (IXFH)
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-IXFH14N80P
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
154648 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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