IXTA100N04T2 Datenblatt
Technische Daten für IXTA100N04T2
Artikelnummer :
IXTA100N04T2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Serie :
TrenchT2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2690pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (IXTA)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-IXTA100N04T2
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
396753 Stücke
Referenzpreis
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