IXTK200N10P PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 100V 200A TO-264

Technische Daten für IXTK200N10P

Artikelnummer : IXTK200N10P

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 200A TO-264

Serie : PolarHT™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 500µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 800W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-264 (IXTK)

Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

IXTK200N10P

Interne Teilenummer

ABC-IXTK200N10P

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 200A TO-264

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

84123 Stücke

Referenzpreis

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IXTK200N10P Datenblatt

Technische Daten für IXTK200N10P

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