IXTN79N20 Datenblatt
Technische Daten für IXTN79N20
Artikelnummer :
IXTN79N20
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
400W (Tc)
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-IXTN79N20
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
82080 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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