JAN1N5553US Datenblatt
Technische Daten für JAN1N5553US
Artikelnummer :
JAN1N5553US
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/420
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 9A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, B
Supplier Device Package :
D-5B
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-JAN1N5553US
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
67353 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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