MT41K512M8DA-125:P TR Datenblatt
Technische Daten für MT41K512M8DA-125:P TR
Artikelnummer :
MT41K512M8DA-125:P TR
Hersteller :
Micron Technology Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - DDR3L
Speichergröße :
4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz :
800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
13.5ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur :
0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart :
-
Paket / fall :
-
Supplier Device Package :
-
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
86400 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat MT41K512M8DA-125:P TR auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für MT41K512M8DA-125:P TR. Unsere E-Mail: [email protected]
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