MT47H128M4B6-25E:D TR Datenblatt
Technische Daten für MT47H128M4B6-25E:D TR
Artikelnummer :
MT47H128M4B6-25E:D TR
Hersteller :
Micron Technology Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - DDR2
Speichergröße :
512Mb (128M x 4)
Taktfrequenz :
400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
15ns
Zugriffszeit :
400ps
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur :
0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
60-FBGA
Supplier Device Package :
60-FBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
43554 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat MT47H128M4B6-25E:D TR auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für MT47H128M4B6-25E:D TR. Unsere E-Mail: [email protected]
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