MT47H256M8EB-25E AIT:C Datenblatt
Technische Daten für MT47H256M8EB-25E AIT:C
Artikelnummer :
MT47H256M8EB-25E AIT:C
Hersteller :
Micron Technology Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - DDR2
Speichergröße :
2Gb (256M x 8)
Taktfrequenz :
400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
15ns
Zugriffszeit :
400ps
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
60-TFBGA
Supplier Device Package :
60-FBGA (9x11.5)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
60021 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat MT47H256M8EB-25E AIT:C auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für MT47H256M8EB-25E AIT:C. Unsere E-Mail: [email protected]
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