NE3515S02-T1D-A Datenblatt
Technische Daten für NE3515S02-T1D-A
Artikelnummer :
NE3515S02-T1D-A
Hersteller :
CEL
Beschreibung :
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Transistortyp :
HFET
Frequenz :
12GHz
Gewinnen :
12.5dB
Spannungs - Test :
2V
Aktuelle Bewertung :
88mA
Rauschzahl :
0.3dB
Aktueller Test :
10mA
Leistung :
14dBm
Spannung - bewertet :
4V
Paket / fall :
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package :
S02
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-NE3515S02-T1D-A
Hersteller
Kurze Beschreibung
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
79389 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat NE3515S02-T1D-A auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für NE3515S02-T1D-A. Unsere E-Mail: [email protected]
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- MoneyGram
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