NP36P06SLG-E1-AY Datenblatt
Technische Daten für NP36P06SLG-E1-AY
Artikelnummer :
NP36P06SLG-E1-AY
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3200pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252 (MP-3ZK)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-NP36P06SLG-E1-AY
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
50560 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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