NSVEMD4DXV6T5G Datenblatt
Technische Daten für NSVEMD4DXV6T5G
Artikelnummer :
NSVEMD4DXV6T5G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
47 kOhms, 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
-
Leistung max :
500mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
SOT-563
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-NSVEMD4DXV6T5G
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6094298 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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