NTMFS4C302NT1G Datenblatt
Technische Daten für NTMFS4C302NT1G
Artikelnummer :
NTMFS4C302NT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
NFET SO8FL 30V 1.15MO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
41A (Ta), 230A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5780pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.13W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN, 5 Leads
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-NTMFS4C302NT1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
NFET SO8FL 30V 1.15MO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1220786 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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