NVTFS5811NLTAG Datenblatt
Technische Daten für NVTFS5811NLTAG
Artikelnummer :
NVTFS5811NLTAG
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1570pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.2W (Ta), 21W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-NVTFS5811NLTAG
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
69280 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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