PMCM6501VNEZ Datenblatt
Technische Daten für PMCM6501VNEZ
Artikelnummer :
PMCM6501VNEZ
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 12V 6WLCSP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
920pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-WLCSP (1.48x.98)
Paket / fall :
6-XFBGA, WLCSP
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-PMCM6501VNEZ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 6WLCSP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2328627 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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