PMDPB38UNE,115 Datenblatt
Technische Daten für PMDPB38UNE,115
Artikelnummer :
PMDPB38UNE,115
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
268pF @ 10V
Leistung max :
510mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
DFN2020-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-PMDPB38UNE,115
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
52702 Stücke
Referenzpreis
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