PSMN6R1-30YLDX Datenblatt
Technische Daten für PSMN6R1-30YLDX
Artikelnummer :
PSMN6R1-30YLDX
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
66A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
817pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
47W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-PSMN6R1-30YLDX
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2409365 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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