QH8KA1TCR Datenblatt
Technische Daten für QH8KA1TCR
Artikelnummer :
QH8KA1TCR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
30V NCHNCH POWER MOSFET
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
73 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
125pf @ 15V
Leistung max :
2.4W
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package :
TSMT8
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-QH8KA1TCR
Hersteller
Kurze Beschreibung
30V NCHNCH POWER MOSFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3038518 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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