RAQ045P01TCR Datenblatt
Technische Daten für RAQ045P01TCR
Artikelnummer :
RAQ045P01TCR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
-8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
600mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSMT6 (SC-95)
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-RAQ045P01TCR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
83456 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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