RGTH60TS65GC11 Datenblatt
Technische Daten für RGTH60TS65GC11
Artikelnummer :
RGTH60TS65GC11
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 650V 58A 197W TO-247N
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
58A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 30A
Leistung max :
197W
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
58nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
27ns/105ns
Testbedingung :
400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247N
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-RGTH60TS65GC11
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 58A 197W TO-247N
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
230192 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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