RN2130MFV,L3F Datenblatt
Technische Daten für RN2130MFV,L3F
Artikelnummer :
RN2130MFV,L3F
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
PNP - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
100 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
100 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
-
Leistung max :
150mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-723
Supplier Device Package :
VESM
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-RN2130MFV,L3F
Hersteller
Kurze Beschreibung
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
20782538 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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