RQ3E100GNTB PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Technische Daten für RQ3E100GNTB

Artikelnummer : RQ3E100GNTB

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Ta), 15W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-HSMT (3.2x3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

RQ3E100GNTB

Interne Teilenummer

ABC-RQ3E100GNTB

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4723299 Stücke

Referenzpreis

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RQ3E100GNTB Datenblatt

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