RQK0609CQDQS#H1 Datenblatt
Technische Daten für RQK0609CQDQS#H1
Artikelnummer :
RQK0609CQDQS#H1
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET P-CH UPAK
Serie :
*
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
-
Technologie :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
-
Supplier Device Package :
-
Paket / fall :
-
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-RQK0609CQDQS#H1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH UPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
79758 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat RQK0609CQDQS#H1 auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für RQK0609CQDQS#H1. Unsere E-Mail: [email protected]
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