RS1E180BNTB PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Technische Daten für RS1E180BNTB

Artikelnummer : RS1E180BNTB

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-HSOP

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

RS1E180BNTB

Interne Teilenummer

ABC-RS1E180BNTB

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

3352013 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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RS1E180BNTB Datenblatt

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