SCT3022KLGC11 Datenblatt
Technische Daten für SCT3022KLGC11
Artikelnummer :
SCT3022KLGC11
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
95A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 18.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
178nC @ 10V
Vgs (Max) :
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2879pF @ 800V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
427W
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247N
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SCT3022KLGC11
Hersteller
Kurze Beschreibung
SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
44778 Stücke
Referenzpreis
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