SCT3060ALGC11 Datenblatt
Technische Daten für SCT3060ALGC11
Artikelnummer :
SCT3060ALGC11
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET NCH 650V 39A TO247N
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
39A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
78 mOhm @ 13A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 6.67mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 18V
Vgs (Max) :
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
852pF @ 500V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
165W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247N
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SCT3060ALGC11
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 650V 39A TO247N
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
71388 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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