SCTW90N65G2V Datenblatt
Technische Daten für SCTW90N65G2V
Artikelnummer :
SCTW90N65G2V
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
157nC @ 18V
Vgs (Max) :
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3300pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
390W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
HiP247™
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SCTW90N65G2V
Hersteller
Kurze Beschreibung
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
49696 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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