SCTWA50N120 Datenblatt
Technische Daten für SCTWA50N120
Artikelnummer :
SCTWA50N120
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
122nC @ 20V
Vgs (Max) :
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
318W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
HiP247™
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SCTWA50N120
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
42302 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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