SPD04P10PLGBTMA1 Datenblatt
Technische Daten für SPD04P10PLGBTMA1
Artikelnummer :
SPD04P10PLGBTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 380µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
372pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
38W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SPD04P10PLGBTMA1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1996309 Stücke
Referenzpreis
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