SQ3419EEV-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SQ3419EEV-T1-GE3
Artikelnummer :
SQ3419EEV-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1065pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-TSOP
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SQ3419EEV-T1-GE3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
52928 Stücke
Referenzpreis
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