SQ3989EV-T1_GE3 Datenblatt
Technische Daten für SQ3989EV-T1_GE3
Artikelnummer :
SQ3989EV-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.67W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
6-TSOP
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SQ3989EV-T1_GE3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2766428 Stücke
Referenzpreis
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