STQ1HN60K3-AP Datenblatt
Technische Daten für STQ1HN60K3-AP
Artikelnummer :
STQ1HN60K3-AP
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Serie :
SuperMESH3™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
400mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-92-3
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-STQ1HN60K3-AP
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1852263 Stücke
Referenzpreis
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