STT4P3LLH6 Datenblatt
Technische Daten für STT4P3LLH6
Artikelnummer :
STT4P3LLH6
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Serie :
DeepGATE™, STripFET™ H6
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
639pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-6
Paket / fall :
SOT-23-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-STT4P3LLH6
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2878841 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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