T2N7002BK,LM Datenblatt
Technische Daten für T2N7002BK,LM
Artikelnummer :
T2N7002BK,LM
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
Serie :
U-MOSVII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
400mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
40pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
320mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-T2N7002BK,LM
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
23338679 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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