TJ15S06M3L(T6L1,NQ Datenblatt
Technische Daten für TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Artikelnummer :
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
Serie :
U-MOSVI
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (Max) :
+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1770pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
41W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK+
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1336013 Stücke
Referenzpreis
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