TK20G60W,RVQ Datenblatt
Technische Daten für TK20G60W,RVQ
Artikelnummer :
TK20G60W,RVQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1680pF @ 300V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
165W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-TK20G60W,RVQ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
533652 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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