TK4P55D(T6RSS-Q) Datenblatt
Technische Daten für TK4P55D(T6RSS-Q)
Artikelnummer :
TK4P55D(T6RSS-Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
Serie :
π-MOSVII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
550V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.88 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
80W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-TK4P55D(T6RSS-Q)
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
51104 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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