TK4R4P06PL,RQ Datenblatt
Technische Daten für TK4R4P06PL,RQ
Artikelnummer :
TK4R4P06PL,RQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Serie :
U-MOSIX-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
48.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3280pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
87W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-TK4R4P06PL,RQ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1025444 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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