TK6Q65W,S1Q Datenblatt
Technische Daten für TK6Q65W,S1Q
Artikelnummer :
TK6Q65W,S1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 180µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
390pF @ 300V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
60W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-TK6Q65W,S1Q
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
637063 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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