UPA2690T1R-E2-AX Datenblatt
Technische Daten für UPA2690T1R-E2-AX
Artikelnummer :
UPA2690T1R-E2-AX
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel Complementary
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 10V
Leistung max :
2.3W
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-PowerWDFN
Supplier Device Package :
6-HUSON (2x2)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-UPA2690T1R-E2-AX
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3117366 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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