VS-GT400TH120N Datenblatt
Technische Daten für VS-GT400TH120N
Artikelnummer :
VS-GT400TH120N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
Trench
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
600A
Leistung max :
2119W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
28.8nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Supplier Device Package :
Double INT-A-PAK
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-VS-GT400TH120N
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
39678 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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