VT6K1T2CR Datenblatt
Technische Daten für VT6K1T2CR
Artikelnummer :
VT6K1T2CR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7.1pF @ 10V
Leistung max :
120mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package :
VMT6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-VT6K1T2CR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
11690175 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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