ZVP2110GTC Datenblatt
Technische Daten für ZVP2110GTC
Artikelnummer :
ZVP2110GTC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
310mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-223
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-ZVP2110GTC
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
75618 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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