ZXMN6A09DN8TA Datenblatt
Technische Daten für ZXMN6A09DN8TA
Artikelnummer :
ZXMN6A09DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1407pF @ 40V
Leistung max :
1.25W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-ZXMN6A09DN8TA
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
513450 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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