APTSM120AM55CT1AG Datenblatt
Technische Daten für APTSM120AM55CT1AG
Artikelnummer :
APTSM120AM55CT1AG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
POWER MODULE - SIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
272nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5120pF @ 1000V
Leistung max :
470W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP1
Supplier Device Package :
SP1
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - SIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
33507 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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