APTSM120AM55CT1AG - POWER MODULE - SIC

Hersteller Teilenummer

APTSM120AM55CT1AG

Interne Teilenummer

ABC-APTSM120AM55CT1AG

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

POWER MODULE - SIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

33507 Pieces

Referenzpreis

~~USD 71.0272~~

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Technische Daten für APTSM120AM55CT1AG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTSM120AM55CT1AG

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : POWER MODULE - SIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 272nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5120pF @ 1000V

Leistung max : 470W

Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : SP1

Supplier Device Package : SP1

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APTSM , APTSM120

Dokumente für APTSM120AM55CT1AG

Datenblätter : APTSM120AM55CT1AG.pdf

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