BSM180D12P2C101 Datenblatt
Technische Daten für BSM180D12P2C101
Artikelnummer :
BSM180D12P2C101
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
23000pF @ 10V
Leistung max :
1130W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
-
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-BSM180D12P2C101
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
59144 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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